實(shí)驗(yàn)（experiment)室凈化對溫濕度有哪些要求?實(shí)驗(yàn)室凈化是一項很重要的工作，下面我們小編就來和大家分享一下它對溫濕度的要求都有哪些，相信了解了這些之后大家可以更好的進(jìn)行工作。成都實(shí)驗(yàn)室裝修公司實(shí)驗(yàn)室結(jié)構(gòu)和設(shè)施、安全操作規(guī)程、安全設(shè)備適用于對人體具有高度的危險性，通過氣溶膠途徑傳播或傳播途徑不明，尚無有效的疫苗或治療方法的致病微生物及其毒素。
潔凈手術(shù)室對溫、濕度有著特殊的要求，因?yàn)槎踞t(yī)生不宜多空衣服，而病人手術(shù)部位要暴露出來，手術(shù)室內(nèi)溫度（temperature)應(yīng)比一般房間溫度高些。而夏季室溫過高又會引起醫(yī)生和病人出汗，不利于手術(shù)部位的衛(wèi)生和手術(shù)的順利進(jìn)行，氣溫過高甚至?xí)鸩∪撕歪t(yī)生中暑，所以夏季手術(shù)室內(nèi)溫度又應(yīng)比舒適性空調(diào)房間溫度低些?？諝獾南鄬囟冗^大過小都會給病人和醫(yī)生帶來不舒適感，相對濕度大還容易給某些細(xì)菌（fungus)提供迅速繁殖的條件并帶來其它危害。因此，根據(jù)國外資料統(tǒng)計，手術(shù)室內(nèi)應(yīng)保持的空氣溫度：冬季為24～26℃，夏季23～26℃；全年的相對濕度為55%～60。
潔凈手術(shù)室對溫度（temperature)的要求呈現(xiàn)日益減小的趨勢（trend)。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)(Produce)的光刻曝光（exposure)工藝中，首先與細(xì)胞壁的脂類雙鍵起反應(yīng)，穿破細(xì)胞壁，進(jìn)入細(xì)胞壁內(nèi)，作用于外殼脂蛋白和內(nèi)面的脂多糖，使細(xì)胞的通透性發(fā)生改變，最后導(dǎo)致細(xì)胞溶解、壞死。殺菌（fungus)速度極快，殺滅不同特殊結(jié)構(gòu):莢膜、鞭毛、菌毛有不同的濃度閾值(threshold)。
實(shí)驗(yàn)（experiment)室凈化工程濕度過高產(chǎn)生的問題更多。成都實(shí)驗(yàn)室凈化每類生物安全防護(hù)實(shí)驗(yàn)室根據(jù)所處理的微生物及其毒素的危害程度各分為四級。各級實(shí)驗(yàn)室的生物安全防護(hù)要求依次為：一級最低，四級最高。成都實(shí)驗(yàn)室裝修實(shí)驗(yàn)室按歸屬可分為三類：第一類是從屬于大學(xué)或者是由大學(xué)代管的實(shí)驗(yàn)室；第二類實(shí)驗(yàn)室屬于國家機(jī)構(gòu)，有的甚至是國際機(jī)構(gòu)；第三類實(shí)驗(yàn)室直接歸屬于工業(yè)企業(yè)部門，為工業(yè)技術(shù)的開發(fā)與研究服務(wù)。相對濕度超過55%時，冷卻(cooling)水管壁上會結(jié)露，如果發(fā)生在精密(precise)裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅(silicon)片表面粘著的灰塵化學(xué)吸附在表面耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當(dāng)相對濕度低于30%時，又由于靜電(是一種處于靜止?fàn)顟B(tài)的電荷)力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導(dǎo)體(semiconductor)器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)(Produce)最佳溫度（temperature)范圍為35—45%。
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